Behawioralne modelowanie tranzystorów IGBT do symulacji układów energoelektronicznych

Inne tytuły:
Behavioural modelling of IGBT transistors for simulation of power electronic systems
Behawioralne modelowanie tranzystorów Insulated Gate Bipolar Transistor do symulacji układów energoelektronicznych
Autor:
Marek Turzyński
Wydawca:
Wydawnictwo Politechniki Gdańskiej (2012)
Wydane w seriach:
Monografie
Monografie (Politechnika Gdańska)
ISBN:
978-83-7348-416-0
Autotagi:
druk
Źródło opisu: Biblioteka Politechniki Opolskiej - Katalog księgozbioru
Wypożycz w bibliotece
Dostęp online
Brak zasobów elektronicznych
dla wybranego dzieła.
Dodaj link
Kup
Brak ofert.
Recenzje

Brak recenzji - napisz pierwszą.

Dyskusje

Brak wątków

Przejdź do forum
Nikt jeszcze nie obserwuje nowych recenzji tego dzieła.
Okładki
Kliknij na okładkę żeby zobaczyć powiększenie lub dodać ją na regał.

Projekt współfinansowany ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego
Dotacje na innowacje - Inwestujemy w Waszą przyszłość
foo